响应式图像 AFM氧化刻蚀-原理

AFM阳极氧化光刻技术是AFM电压光刻技术的一种。借助电压光刻技术,不仅可以改变表面的几何特性,而且可以改变样品表面的局部电物理特性。例如,通过向导电悬臂施加电压,可以在探针尖端下方刺激表面上的电化学过程,并且可以氧化金属层。

动画图片特别显示了在正常条件下硅基底上超细钛膜表面的尖端诱导氧化[1]。在空气或其他潮湿的环境中,探头和样品表面被吸收的水薄膜覆盖。当尖端足够接近表面时,这些吸收的层会接触,由于毛细作用会产生水桥。通过施加相应的电场,将通过该桥引发水表面边界,水中和探针中的电化学反应。如果表面带正电而尖端带负电,那么尖端和表面将作为阳极和阴极发生电化学相互作用。氧化物将在尖端下方的尖端生长。

对于复杂的图片,可以使用PCX文件[2]执行光栅光刻。最小和最大色调电压之间的差异将与亮度成比例地施加,并且相应地,阳极氧化物将生长到不同的高度,从而形成不同的地形图像对比度。

References

  1. Nanotechnology 12, 273 (2001).
  2. "1st euspen topical conference on fabrication and metrology in nanotechnology". -Copenhagen, 2000. V.1, р.222-228.